Transistores de efecto de campo a metal y óxido / Paúl Richman / Buenos Aires : Hispano Americana (1973)

Hacer una sugerencia de compra Título : Transistores de efecto de campo a metal y óxido Tipo de documento: texto impreso Autores: Paúl Richman Editorial: Buenos Aires : Hispano Americana Fecha de publicación: 1973 Número de páginas: 142 páginas Precio: 22.00 Nota general: Incluye apéndice Palabras clave: TRANSISTORES  DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Clasificación: 621.31 R54 Resumen: Introducción.- Principios físicos básicos del efecto de campo.- La teoría del funcionamiento del transistor a semiconductor de metal y óxido por efecto de campo.- El estado de la tecnología de semiconductores a metal y óxido.- Transistores a semiconductor de metal y óxido por efecto de campo y sus características eléctricas.- Aplicaciones digitales de los transistores a semiconductor de metal y óxido Link: https://pmb.unjbg.edu.pe/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=6619

Ejemplares (1)

Código de barras	Signatura	Tipo de medio	Ubicación	Sección	Estado	Area
BC2396	621.31 R54	Libro	Biblioteca Central	ACA - Tecnologia (Ciencias aplicadas)	Disponible	Area_de_Ingenierias

---

1 (1 - 1 / 1) Par page : 25 50 100 200